还可以通过将硅进行碳包覆，全国氢燃 Prof.Jianping Yang等人[8]首先制备了Si@C核壳结构，全国氢燃包覆在硅核外面的碳不仅可以阻止硅直接接触电解液发生副反应形成不稳定的SEI膜，还可以提高电极的导电性，更重要的是能够缓冲充放电过程中硅体积膨胀带来的结构应变，然后在此基础上引入少量的Ge纳米晶粒（见图3）对Si@C进行表面修饰得到Si@C@GeO2,Ge纳米晶粒起到迷你集流体的作用，提高锂离子扩散速率，从而获得高容量的锂电池，在150个循环后还可以保持1854mAh/g的容量。

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（b）不同条件（样品、料电探针、最大压力）下受力(F)和压入深度(δ)曲线，根据F-δ曲线可以拟合出被测薄膜的弹性模量和断裂强度。其中，池汽车示二维模量E2D和强度σ02D是由纳米压入实验直接测得的，而三维模量E3D和强度σ03D是用二维数值除以样品厚度得到的。

(b)2H-MoTe2的二次谐波光谱（SHG）强度随角度变化蛛网图，范运根据此图可以确定晶体取向。营项对照的Si峰峰位随温度呈线性变化。